全自動硅芯硅棒清洗機---CSE華林科納（江蘇）CSE密切跟蹤太陽能光伏行業(yè)發(fā)展，致力于“設備+工藝”的研發(fā)模式，現(xiàn)生產的單多晶制絨設備已經(jīng)形成了良好的客戶基礎和市場影響。生產工藝流程為：預清洗→制絨→擴散→刻蝕→去PSG→PECVD→印刷→燒結太陽能電池片濕法設備主要技術特點：1.獨特的雙槽制絨工藝槽設計；2.分立式加熱系統(tǒng)保證溶液均勻性并降低運營成本；3.多通道注入結構實現(xiàn)制絨工藝槽溶液均勻性控制；4.機械傳動特殊設計及人性化安全保證；5.適應性強的工藝過程控制。產品描述1）主要用于對硅材料行業(yè)中多晶硅塊進行清洗干燥處理。2）工藝流程：根據(jù)客戶需求定制，可處理腐蝕、清洗、超聲、加熱、干燥、上料 、噴淋 、酸洗、漂洗、下料等工藝；3）控制方式：手動或自動4）材質：根據(jù)客戶及工藝需求選用，可選PP、PVC、PVDF、石英、不銹鋼等材質，保證設備的耐用性；5）槽體的槽底均為傾斜漏斗式結構，便于清洗和排渣； 6）設備設有旋轉裝置使工件達到更好的清洗效果；7）頂部設有排霧系統(tǒng)結合酸霧塔進行廢霧、廢水處理避免污染環(huán)境；8）PLC控制人機界面操作顯示能根據(jù)實際情況更改清洗參數(shù)。更多的太陽能光伏清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(wǎng)（www.hlcas.com），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
顯影清洗機CSE-華林科納（江蘇）微機電系統(tǒng)（MEMS)是指用微機械加工技術制作的包括傳感器/微致動器/微能源/等微機械基本部分以及高性能的電子集成線路組成的微機電器件與裝置。其典型的生產工藝流程為：成膜工藝（氧化/CVD:LPCVD PECVD/PVD:濺射/電鍍/摻雜：擴散 注入 退火）→光刻圖形（旋涂/光刻/顯影）→干法/濕法/ 刻蝕（濕法刻蝕/硅刻蝕/SiO?刻蝕/去膠清洗/金屬刻蝕/金屬剝離/RCA清洗）設備概述設備名稱：顯影清洗機整機尺寸：約1000mm(L) ×1260mm(W) ×1900mm(H)（具體尺寸根據(jù)實際圖紙確定）主體構造特點設備包括設備主體、電氣控制部分、顯影清洗槽等；并提供與廠務供電、供氣、供水、排廢水、排氣系統(tǒng)配套的接口等主體設備主體使用德國勞士林10mm瓷白PP骨架SUS304+PP德國勞士領板組合而成安全門設備安裝高透明PVC上下推拉安全門，分隔與保護人員安全；邊緣處設備密封條臺面高度約900mm，適合高于1.5米人群操作工藝槽模組化設計，放置在同一個承漏底盤中。底盤采用滿焊接工藝加工而成，杜絕機臺的滲漏危險。管路系統(tǒng)位于設備下部，所有工藝槽、管路、閥門部分均有清晰的標簽注明；藥液管路采用勞士林PP管，純水管路采用積水CL-PVC管，廢液可通過專用管道排放電氣保護電器控制、氣路控制和工藝槽控制部份在機臺頂部電控區(qū)，電氣元件有充分的防護以免腐蝕以保障設備性能運行穩(wěn)定可靠。工作照明上方防酸型照明220V 40W 可更換水氣槍機臺前部配備有PP純水槍和PP CDA槍各一只置左右兩側，水槍滴漏活水設計，方便操作員手工清洗槽體或工件機臺支腳有滑輪裝置及固定裝置并加防腐座，并且有高低調整及鎖定功能安全保障完善的報警和保護設計，排風壓力、液位、排液均有硬件或軟件互鎖，直觀的操作界面，清晰的信息提示，保障了生產、工藝控制和安全性三色...
全自動制絨清洗機設備--CSE華林科納（江蘇）CSE密切跟蹤太陽能光伏行業(yè)發(fā)展，致力于“設備+工藝”的研發(fā)模式，現(xiàn)生產的單多晶制絨設備已經(jīng)形成了良好的客戶基礎和市場影響。生產工藝流程為：預清洗→制絨→擴散→刻蝕→去PSG→PECVD→印刷→燒結太陽能電池片濕法設備主要技術特點：1.獨特的雙槽制絨工藝槽設計；2.分立式加熱系統(tǒng)保證溶液均勻性并降低運營成本；3.多通道注入結構實現(xiàn)制絨工藝槽溶液均勻性控制；4.機械傳動特殊設計及人性化安全保證；5.適應性強的工藝過程控制。產品描述1）主要用于對硅材料行業(yè)中多晶硅塊進行清洗干燥處理。2）工藝流程：根據(jù)客戶需求定制，可處理腐蝕、清洗、超聲、加熱、干燥、上料 、噴淋 、酸洗、漂洗、下料等工藝；3）控制方式：手動或自動4）材質：根據(jù)客戶及工藝需求選用，可選PP、PVC、PVDF、石英、不銹鋼等材質，保證設備的耐用性；5）槽體的槽底均為傾斜漏斗式結構，便于清洗和排渣； 6）設備設有旋轉裝置使工件達到更好的清洗效果；7）頂部設有排霧系統(tǒng)結合酸霧塔進行廢霧、廢水處理避免污染環(huán)境；8）PLC控制人機界面操作顯示能根據(jù)實際情況更改清洗參數(shù)。更多的太陽能單晶多晶硅片制絨腐蝕清洗機設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(wǎng)（www.hlcas.com），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
晶圓清洗機設備名稱：晶圓清洗機-CSE產品特點：? 針對21英寸外徑或15x15英寸的基底? 巨聲環(huán)境清洗艙（可配備去離子水, 清洗刷, 熱去離子水, 高壓去離子水, 熱氮氣）? 化學注射臂? 帶化學噴射的可變速清洗刷? 觸屏用戶界面? 手動上下載? 安全鎖和報警器? 占地尺寸30”D x 26”W 可選配項：? 化學試劑傳送單元? 白骨化清洗? 臭氧發(fā)生器? 氫化雙氧水發(fā)生器? 高壓雙氧單元? 硫酸氫過氧化物? 紅外加熱? 雙氧水循環(huán)裝置? 機械手上下載單元? 帶EFEM和SMIF界面的 集群系統(tǒng)清洗功能? 晶圓片? 藍寶石外延片? 晶圓框架上的芯片? 顯示面板? ITO膜顯示材料? 有圖形掩膜和無圖形掩膜? 掩膜坯料? 薄膜式掩膜? 接觸式掩膜光刻處理工藝? SPM剝離? 光刻膠涂膜? 光刻膠剝離工藝刻蝕? 金屬刻蝕（鋁，銅，鉻，鈦）白骨化清洗? 在晶圓片上注射硫酸和雙氧水的混合液? 紅外加熱? 刷洗? 兆聲雙氧水清洗? 熱氮和甩干去膠/剝離工藝? 帶紅外加熱的NMP滴膠? 刷洗? 兆聲雙氧水清洗? 熱氮和甩干CMP溶液清洗? 用刷洗和兆聲清洗去除CMP顆粒? 化學噴射臂? 化學噴射罐? 為前面和背面刷洗設計的特殊托盤? 可調速的PVA清洗刷? 可調的清洗刷/晶圓接觸壓力? 刷式化學噴射帶膜/不帶膜式掩膜清洗? 全套清洗（無需更換保護膜）? 全保護膜? 膜式掩膜清洗工藝 1) 掩膜背面清洗后 兆聲雙氧水清洗 刷式清洗 化學清洗 熱氮甩干 2)熱氮甩干更多半導體設備可以關注華林科納（江蘇）半導體設備官網(wǎng)m.126xa.cn；現(xiàn)在咨詢400-8768-096，18913575037可立即免費獲取華林科納CSE提供的設備相關方案
無機清洗機?設備名稱：無機清洗機?設備型號：CSE-JR11-WJ04?整機尺寸(參考)：約2000mmL×1400mmW×2000mmH；?硅片尺寸：2寸～6寸?工作環(huán)境：室內放置；?操作形式：手動?重量：650Kg( 大約)；蘇州華林科納半導體設備技術有限公司由中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所合資成立于2008年3月，投資4500萬元。主要從事半導體設備、太陽能光伏設備、液晶濕制程設備、真空設備的研發(fā)、技術推廣和生產銷售。
硅片濕法清洗技術與設備---華林科納CSE硅片制造過程中，在進行下一步工藝前要獲得 一個潔凈的表面，以保證后道工藝能再一個完全潔 凈的表面上進行，這就需要對硅片進行清洗。清洗是硅片制造過程中重復次數(shù)最多的工藝。目前，在 清洗工藝中使用最多的就是濕法清洗技術，華林科納半導體設備公司的硅片濕法腐蝕清洗機在半導體行業(yè)得到了很多客戶的認可.1 硅片濕法清洗的種類1.1 刷洗刷洗是去除硅片表面顆粒的一種直接而有效的方法，該清洗技術一般用在切割或拋光后的硅片清洗上，可高效地清除拋光后產生的大量顆粒。刷洗一般有單面或雙面兩種模式，雙面模式可同時清洗硅片的兩面。刷洗有時也與超聲及去離子水或化學液一起配合使用，以達到更好的清洗效果和更高的清洗效率。1.2 化學清洗1.2.1 RCA 清洗20 世紀 60 年代，由美國無線電公司（RCA）研發(fā)了用于硅片清洗的 RCA 清洗技術，這種技術成為后來各種化學清洗技術的基礎，現(xiàn)在大多數(shù)工廠所使用的清洗技術都是基于最初的 RCA 清洗法。RCA 清洗是按照一定的順序依次浸入兩種標準清洗液(SC-1 和 SC-2)中來完成，這兩種清洗液的使用溫度一般在 80 ℃以內，有時也需要將溶液冷卻到室溫以下。1.2.2 改進的 RCA 清洗RCA 清洗一般都需要在高溫下進行，并且化學液的濃度很高，這樣就造成大量消耗化學液和去離子水的問題。目前，很少有人還按照最初的 RCA化學液配比進行濕法清洗。在 RCA 清洗的基礎上，采用稀釋化學法，將SC-1、SC-2 稀釋到 100 倍以上，也可以達到甚至超過最初的 RCA 清洗效果。改進的 RCA 清洗方法最大的好處是減少了化學液的消耗，可使化學液的消耗量減少 85﹪以上。另外，附加兆聲或超聲能量后，可大大降低溶液的使用溫度和反應時間，提高溶液的使用壽命，大幅度降低了生產成本，同時，低濃度化學液對人體健康和安全方面...
晶片清洗機設備名稱:晶片清洗機-華林科納CSE清洗對象:本設備適用于2″~8″晶片清洗。 ⑴超聲清洗,加熱清洗為單槽定時控制,到時給予結束提示音。⑵工藝過程:上料→支離子水超聲清洗→去離子水加熱清洗→去離子水沖洗→ 下 料 本設備為柜體式,操作面帶有透明門窗。⑴槽體材料為德國進口聚丙烯(磁白色PP板),焊口采用SS外包5mm厚德國磁白色PP板,外型美觀實用。 ⑵設備超聲,加熱清洗時間由定時器控制。 ⑶加熱槽裝有溫控表(pompon)和傳感器。 ⑷每個清洗槽互不影響,超聲、沖洗清洗槽的上給水(沖洗清洗槽配有熱水)、下排水為手動方式。 ⑸配有可調節(jié)式的排風裝置。 ⑹配有美國進口氮氣噴槍。 ⑺電控部分采用密封保護方式配有緊急停機及報警裝置。更多半導體設備可以關注華林科納（江蘇）半導體設備官網(wǎng)m.126xa.cn；現(xiàn)在咨詢400-8768-096，18913575037可立即免費獲取華林科納CSE提供的設備相關方案
太陽能硅片制絨腐蝕清洗機-CSE在光伏發(fā)電領域，由于多晶硅電池片成本較低，其 市 場 占有率已躍居首位，但相對于單晶硅電池片而言仍存在著反 射率較高、電池效率不足的缺陷。為縮小多晶硅太陽能電池 片與單晶硅太陽能電池片之間的差距，采用織構化多晶硅表 面的方法提高多晶硅片吸光能力是一條行之有效的途徑。目前，多晶硅表面織構化的方法主要有機械刻槽、激光刻槽、反應離子體蝕刻、酸腐蝕制絨等，其中各 向同性酸腐制絨技術的工藝簡單，可以較容易地整合到多晶 硅太陽能電池的生產工序中，同時成 本 最 低，因 而 在 大 規(guī) 模 的工業(yè)生產中得到了廣泛的應用。更多的太陽能硅片制絨腐蝕清洗機設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(wǎng)（m.126xa.cn），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
RCA濕法腐蝕清洗機設備——華林科納CSE華林科納CSE濕法處理設備是國內最早致力于集成電路濕法設備的研制單位，多年來與眾多的集成電路生產企業(yè)密切合作，研制開發(fā)出適合于4吋-8吋的全自動系列濕法處理設備設 備 名 稱華林科納（江蘇）CSE-RCA濕法腐蝕清洗機使 用 對 象硅晶片2-12inch適 用 領 域半導體、太陽能、液晶、MEMS等設 備 用 途硅晶片化學腐蝕和清洗的設備主體構造特點1. 設備包括：設備主體、電氣控制部分、化學工藝槽、純水清洗槽等；并提供與廠務供電、供氣、供水、排廢水、排氣系統(tǒng)配套的接口等。2.設備為半敞開式，主體使用進口WPP15和10mm厚板材，結構設計充分考慮長期工作在酸腐蝕環(huán)境，堅固耐用，雙層防漏，機臺底盤采用德國產瓷白PP板，熱焊接而成，可長期工作在酸堿腐蝕環(huán)境中3.主體：設備為半敞開式，主體使用進口WPP15和10mm厚板材，結構設計充分考慮長期工作在酸腐蝕環(huán)境，堅固耐用，雙層防漏，機臺底盤采用德國產瓷白PP板，熱焊接而成，可長期工作在酸堿腐蝕環(huán)境中；4.骨 架：鋼骨架+PP德國勞施領板組合而成，防止外殼銹蝕。5.儲物區(qū)：位于工作臺面左側，約280mm寬，儲物區(qū)地板有漏液孔和底部支撐；6.安全門：前側下開透明安全門，腳踏控制；7.工藝槽：模組化設計，腐蝕槽、純水沖洗槽放置在一個統(tǒng)一的承漏底盤中。底盤采用滿焊接工藝加工而成，杜絕機臺的滲漏危險；8.管路系統(tǒng)：位于設備下部，所有工藝槽、管路、閥門部分均有清晰的標簽注明；藥液管路采用PFA管，純水管路采用白色NPP噴淋管，化學腐蝕槽廢液、沖洗廢水通過專用管道排放；9.電氣保護：電器控制、氣路控制和工藝槽控制部份在機臺頂部電控區(qū)，電氣元件有充分的防護以免酸霧腐蝕以保障設備性能運行穩(wěn)定可靠；所有可能與酸霧接...
種植體全自動腐蝕清洗機設備——華林科納CSE設備名稱種植體全自動腐蝕清洗設備適用領域醫(yī)療種植體系統(tǒng)設備用途種植體化學腐蝕和清洗的設備基本介紹主要功能：通過對清洗物腐蝕、噴砂→清洗→酸腐蝕→清洗等方式進行處理，從而達到一個用戶要求的效果設備形式：室內放置型操作形式：自動設備制造商華林科納（江蘇）半導體設備有限公司 m.126xa.cn 0513-87733829；18051335986 在種植體制造過程中,完成種植體的機械塑形后,需要將種植體浸入酸液里,對表面進行陽極處理,它會使表面形成多個孔洞,增進種植體與病人頜骨之間的緊密結合。經(jīng)歷了酸液的陽極處理后,將會轉移到最后一道清潔工序,在清潔槽內通過超聲波清洗,形成氣泡和水波,輕輕地刷洗種植體,完成種植體的清潔,完成種植體的成品制造。種植體表面腐蝕清洗的主要目的是要讓鈦更好更快地與人骨結合,在表面進行涂層處理技術后,進行表面粗化技術,以便獲得某種粗糙的表面,以增大表面積,這可使頜骨與種植體間的結合面積大大增加。目前,種植體的表面處理工藝較為常見的基本過程為:清洗→噴砂→清洗→酸腐蝕→清洗,多次清洗是為了實現(xiàn)不同的目的。第一次清洗主要是為了在噴砂前清洗除污,第二次清洗則是為了去除噴砂后殘留雜質,第三次是為了去除酸腐蝕后的酸液殘留。第二步的噴砂加工工藝,是為了進行表面粗化處理,一般噴砂介質為氧化鋁砂,粒度根據(jù)表面粗化特性來定義。第四步的酸腐蝕加工,酸溶液的選擇比較靈活,一般可使用強酸溶液(如硝酸、鉻酸等)、強酸混合溶液(如硫酸和鹽酸混合溶液)、強酸和中強酸混合溶液(如硝酸和氫氟酸混合溶液)等,使用酸液能夠有效地達到粗化目的,又不會在表面上產生有害物質。這與半導體集成電路工藝過程中的刻蝕清洗方式極為相似,作為國內先進的濕制程專業(yè)制造商,華林科納半導體設備有限公司在集成...
紅外器件清洗機設備名稱：紅外器件清洗機-CSE產品特點：設備由預洗槽、超聲波清洗槽、漂洗槽、超聲波電源柜等組成。清洗槽材質為不銹鋼，經(jīng)久耐用。預洗槽底部設置了壓力噴嘴，使浸泡過程中靜止的液體變?yōu)榱鲃拥囊后w，上下翻滾，形成湍流，有效去除散熱片狹縫中的污物。超聲波清洗槽底部、側面均設置了換能器，使被清洗的工件表面得到均勻的聲強。在超聲作用下，采用水劑代替煤油或有機溶劑進行清洗，可顯著降低清洗成本。更多半導體設備可以關注華林科納（江蘇）半導體設備官網(wǎng)m.126xa.cn；現(xiàn)在咨詢400-8768-096，18913575037，可立即免費獲取華林科納CSE提供的設備相關方案
溝槽腐蝕機-CSE概述1.1 設備概況：主要功能：本設備主要手動搬運方式，通過對si片腐蝕、漂洗、等方式進行處理，從而達到一個用戶要求的效果。1.1.1 設備名稱：溝槽腐蝕機1.1.2 設備型號：CSE-SC-N6011.1.3 整機尺寸(參考)：約2000mm（L）×1400mm(W)×2000mm(H)；1.1.4 被清洗硅片尺寸：5寸/6寸1.1.5 設備形式:室內放置型;1.1.6 操作形式：手動1.2 設備組成該設備主要由清洗部分、抽風系統(tǒng)及電控部分組成設備工藝走向：參照本方案臺面布局圖1.3 設備描述●此裝置是一個半自動的處理設備?！?.0英寸PROFACE 人機界面顯示 / 檢測 / 操作●主體材料：10mmPP板，優(yōu)質不銹鋼骨架，外包3mmPP板防腐；●化學槽槽體材料：德國勞士領 10mm PVDF板；●純水槽槽體材料：德國勞士領 10mm NPP板；●臺面板為10mm PP板（帶有菱形漏液孔）；●DIW主管路及構件采用日本進口clean-PVC管材，支管路及閥件采用PFA材質，需滿足18M去離子水水質要求；酸 堿管路材質為進口PFA/PVDF；●采用國際標準生產加工，焊接組裝均在萬級凈化間內完成●排風：位于機臺后下部●工作照明：上方防酸型白光照明●歐姆龍/三菱 PLC控制。●安全考慮：1. 設有EMO(急停裝置)， 2. 強電弱點隔離3. 所有電磁閥均高于工作槽體工作液面4. 電控箱正壓裝置（CDA Purge）5. 設備三層防漏 樓盤傾斜 漏液報警 設備整體置于防漏托盤內6. 排放管路加過濾裝置7 排液按鈕具有連鎖功能。啟動排液時，同時切斷泵啟動。8 槽內配液位開關，無液不循環(huán)。更多半導體設備可以關注華林科納（江蘇）半導體設備官網(wǎng)m.126xa.cn；現(xiàn)...