光刻技術(shù)是大規(guī)模集成電路制造技術(shù)和微光學(xué)、微機(jī)械技術(shù)的先導(dǎo)和基礎(chǔ)，他決定了集成電路（ＩＣ）的集成度…。光刻版在使用過程中不可避免地會粘上灰塵、光刻膠等污染物，這些污染物的存在直接影響到光刻的效果。近些年，國家將ＬＥＤ照明列入為重點發(fā)展產(chǎn)業(yè)，ＬＥＤ行業(yè)迅猛發(fā)展。ＬＥＤ制造過程中，具有光刻版的使用量多，使用頻繁的特點。大多生產(chǎn)廠家為了節(jié)省成本，主要采用接觸式曝光。接觸式曝光雖然可以利用成本低廉的設(shè)備達(dá)到較高的曝光精度，但是由于甩膠式涂膠方法會造成晶圓邊緣膠層過厚，在接觸式曝光過程中光刻版極易接觸到晶圓邊緣的光刻膠，導(dǎo)致光刻膠粘附到光刻版表面（圖１）。對于ＩＣ行業(yè)，因為線條更細(xì)，精度要求更高，所以光刻版的潔凈程度更加重要。
對于硅片清洗而言，其顆粒移除率（PRE）不需要達(dá)到１００％，但對于光刻版而言卻并非如此，其原因是對于產(chǎn)品良率而言，光刻版表面顆粒的影響更大，單晶圓缺陷只影響一個缺陷，而一個光刻版卻影響到每一個芯片［２一］。由于零成像缺陷是可以實現(xiàn)的，工廠內(nèi)生產(chǎn)的光刻版需要經(jīng)常清洗。為了保證光刻版潔凈，必須定期對光刻版進(jìn)行清洗，而清洗的效果與清洗工藝以及各清洗工藝在設(shè)備上的合理配置有著密切的聯(lián)系。
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１光刻版清洗工藝
１．１光刻膠及其他有機(jī)污染物的去除對于光刻膠及其他有機(jī)污染物，比較常見的方法是通過有機(jī)溶劑將其溶解的方法將其去除，例如利用丙酮浸泡光刻版，在浸泡的同時可以超聲提高浸泡效果。對于比較干凈的光刻版，浸泡基本就能將有機(jī)污染物去除干凈。對于光刻膠較多的光刻版，浸泡只能將光刻膠泡軟，還需要用無塵布或無塵棉蘸丙酮輕輕擦洗，或在光刻版清洗設(shè)備中采用毛刷刷洗，通過外力將頑固的光刻膠去除掉。毛刷刷洗基本原理如圖２所示，光刻版勻速旋轉(zhuǎn)，噴嘴向光刻版表面噴灑丙酮等化學(xué)液，使得光刻膠由于溶解而變得松軟，然后毛刷接觸到光刻板表面，光刻板旋轉(zhuǎn)時與毛刷產(chǎn)生相對運動，輔以噴嘴噴出的化學(xué)液，對光刻版表面起到刷洗作用。刷洗完成后，通常采用高壓ＤＩ水沖洗光刻版，通過高壓微細(xì)水滴的沖擊力去除仍然吸附在光刻版表面的剩余光刻膠。
第二種辦法對于所有的有機(jī)材料都是有效的，它采用濃硫酸和３０％過氧化氫的混合物（在＞１００℃時，混合比通常為２：１～４：１），之后是去離子水（ＤＩ）沖洗，稱為Ｐｉｒａｎｈａ刻蝕。這種方法對于特別難去除的光刻膠或由于接觸過高溫等環(huán)境導(dǎo)致已經(jīng)變性的光刻膠非常有效，并且可以得到很高的去膠效率。隨后的清潔即去除圖案化、檢查和修復(fù)任何殘留在光刻版表面的光刻膠或顆粒污染物。在最有效的工藝中，強(qiáng)氧化劑清洗之后是氫氧化銨噴霧，以抵消殘留酸（從而形成硫酸銨，一種易去除的鹽）：然后用去離子水沖洗以消除硫酸銨。
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１．２無機(jī)顆粒污染物的去除
對于較大顆粒的去除，前面所述的有機(jī)溶劑去膠方式和氧化劑氧化方式都會緊接著用ＤＩ水沖洗或輔助高壓水沖洗，大顆粒已經(jīng)去除干凈。對于較小顆粒（０．２～０．５斗ｍ），由于光刻版表面靜流層（Ｖｉｓｃｏｕｓｂｏｕｎｄａｒｙｌａｙｅｒ）的存在，普通的ＤＩ水沖洗的方式無法將其去除。通常采用在ＤＩ水中加兆聲的方式，利用兆聲產(chǎn)生高速水分子流動，清洗微小顆粒。圖３表示的是一種在單片旋轉(zhuǎn)清洗設(shè)備上常用的兆聲噴頭清洗方式。
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１．３干燥
在手工清洗工藝中，一般采用氮氣噴槍將光刻版吹干，這種方式受人為因素影響大，人手接觸光刻版時可能將其再次污染，氮氣噴槍使用不當(dāng)導(dǎo)致液體飛濺，易在光刻版表面殘留水漬。
目前比較成熟的干燥方式是在單片旋轉(zhuǎn)清洗設(shè)備上采用高速旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的離心力將光刻版甩干，在這個過程中可以采用氮氣噴頭提高干燥速度。若仍需要提高效率，氮氣也可以采用加熱的方式或氮氣噴頭在光刻版表面做掃描運動（見圖４）。
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２光刻版清洗典型設(shè)備結(jié)構(gòu)
光刻版清洗設(shè)備整體結(jié)構(gòu)根據(jù)其自動化水平可以分為半自動光刻版清洗機(jī)和全自動光刻版清洗機(jī)。圖５、圖６是兩種設(shè)備的臺面布局圖，圖７是單片旋轉(zhuǎn)清洗腔功能示意圖。
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對于半自動光刻版清洗機(jī)，通常配置一個浸泡工位和一個單片旋轉(zhuǎn)清洗工位。光刻版先在浸泡工位內(nèi)浸泡，然后拿到單片旋轉(zhuǎn)清洗腔內(nèi)清洗、甩干。這種設(shè)備操作簡單，設(shè)備價格低，適用于光刻版不經(jīng)常清洗的半導(dǎo)體廠家。
對于全自動光刻版清洗機(jī)，通常配置上下料工位、傳輸機(jī)械手、１～２個單片旋轉(zhuǎn)清洗腔、光刻版自動翻轉(zhuǎn)工位等。只需要將裝有光刻版的片架放到上下料工位，啟動程序，設(shè)備會自動完成光刻版的傳輸、雙面清洗、干燥等。這種設(shè)備智能化程度高，一次可以清洗１０～２０塊光刻版，且工藝效果和工藝一致性好。全自動光刻版清洗機(jī)適用于光刻版清洗量大，曝光工藝主要還采用接觸接近式曝光的半導(dǎo)體廠家，例如ＬＥＤ生產(chǎn)廠家。
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如圖７所示，單片旋轉(zhuǎn)清洗腔主要工作原理是在光刻版旋轉(zhuǎn)的同時采用擺臂噴頭向其表面依次噴灑各種化學(xué)液或ＤＩ水。這種方式使得反應(yīng)了的藥液馬上流走，能夠保證噴到光刻表面的都是新鮮的化學(xué)液，從而防止交叉污染，保證了清洗的效果。單片旋轉(zhuǎn)清洗腔采用集成度很高的模塊化設(shè)計，在其中包含了外腔、防濺腔、旋轉(zhuǎn)卡盤、自動門、罩子、各種工藝等。工藝可以根據(jù)需要選擇化學(xué)液（例如ＡＣＥＴＯＮＥ、ＩＰＡ）、毛刷刷洗、常壓ＤＩ水、兆聲ＤＩ水、高壓ＤＩ水（或高壓熱ＤＩ水）、氮氣（或熱氮氣）等，工藝組合靈活，適用性強(qiáng)。
３光刻版清洗效果
在前面所述的全自動光刻版清洗機(jī)上，對某ＬＥＤ廠家的光刻版進(jìn)行了清洗，清洗前后在２００倍的顯微鏡下效果如圖８所示。能夠很明顯看到，光刻膠被有效去除。
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４結(jié)論
本文指出了光刻版清洗的重要性，闡述了兩種常用的光刻版清洗工藝，列舉了較成熟的半自動光刻版清洗機(jī)和全自動光刻版清洗機(jī)的主要結(jié)構(gòu)及組成及其適用對象，最終通過在全自動光刻版清洗機(jī)上進(jìn)行了試驗，得到了非常理想的工藝效果。