掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言其具有永久處于壓板向下位置或者可從壓板向上位置轉(zhuǎn)移到壓板向下位置的壓板。晶片定位在臺板上，以便不接觸臺板，并在臺板和晶片之間提供間隙。該間隙可以通過將壓板定位在壓板向下的位置來產(chǎn)生。等離子體流入該間隙，從而能夠同時(shí)從晶片正面、背面和邊緣去除材料。該設(shè)備可以包括其中具有間隙的單個(gè)處理站，或者該設(shè)備可以包括多個(gè)處理站，每個(gè)處理站能夠在其中形成間隙，用于同時(shí)從晶片前側(cè)、后側(cè)和邊緣去除額外的材料。 圖5在電子元件制造過程中，通常在半導(dǎo)體處理室內(nèi)將材料層或特征沉積到半導(dǎo)體晶片上。雖然大多數(shù)化學(xué)副產(chǎn)物和未使用的試劑通過排氣泵從腔室中排出，但是一些殘留物不可避免地沉積在腔室壁和腔室內(nèi)的其他表面上，包括被處理晶片本身的正面和背面。然后，必須去除半導(dǎo)體處理室上的任何不期望的殘留物，以防止殘留物剝落并污染正在制造的電子器件。還必須去除半導(dǎo)體晶片正面和背面上的不期望的殘留物，以防止在隨后的半導(dǎo)體處理步驟中從晶片上剝離這種材料，這將最終污染半導(dǎo)體處理室和設(shè)備，并進(jìn)而污染晶片。半導(dǎo)體晶片背面污染是在許多不同的半導(dǎo)體集成電路制造步驟中產(chǎn)生的，例如與晶片處理/加工設(shè)備接觸。例如，諸如末端執(zhí)行器、晶片卡盤和晶片存儲設(shè)備的機(jī)器人部件導(dǎo)致不同種類的顆粒附著到晶片背面。此外，用于晶片正面處理的各種化學(xué)工藝會(huì)影響晶片的背面。例如，在光刻過程中，光致抗蝕劑聚合物的殘留物可能...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言本文介紹了一種蝕刻后殘留物清洗配方，該配方基于平衡氫氟酸的腐蝕性及其眾所周知的殘留物去除特性。在最初由基于高k電介質(zhì)的殘留物提供的清潔挑戰(zhàn)所激發(fā)的一系列研究中，開發(fā)了一種配方平臺，其成功地清潔了由氧化鉭和類似材料的等離子體圖案化產(chǎn)生的殘留物，同時(shí)保持了金屬和電介質(zhì)的兼容性。這進(jìn)一步表明，這種溶液的基本優(yōu)點(diǎn)可以擴(kuò)展到其它更傳統(tǒng)的蝕刻后殘留物的清洗，而不犧牲相容性，如通過對覆蓋膜的測量和通過SEM數(shù)據(jù)所證明的。 介紹自從用于半導(dǎo)體互連的等離子體圖案化出現(xiàn)以來，用于等離子體蝕刻后殘留物(PER)的清除的配方類型已經(jīng)有了顯著的發(fā)展。在等離子蝕刻變得突出之前，半導(dǎo)體工業(yè)中的濕法化學(xué)工藝主要局限于光刻膠剝離、濕法蝕刻和標(biāo)準(zhǔn)清洗。等離子體產(chǎn)生的殘留物的出現(xiàn)(主要)是基于鋁、鎢和氧化硅的圖案化，因此有必要?jiǎng)?chuàng)造新類別的清潔材料，其中一些來自溶劑和蝕刻劑，另一些基于全新的反應(yīng)化學(xué)，例如基于羥胺的清潔化學(xué)，以及其他高度工程化的配方混合物。類似地，受產(chǎn)品性能需求的驅(qū)動(dòng)，半導(dǎo)體行業(yè)在其產(chǎn)品中采用了越來越多的材料。因此，在半導(dǎo)體制造過程中需要清洗的PER的種類隨著時(shí)間的推移而增加，但在過去的一二十年中增長最快。沒有改變的是對PER清洗化學(xué)物質(zhì)的一系列要求，簡單來說就是在經(jīng)常出現(xiàn)敏感的金屬和電介質(zhì)材料的情況下去除不需要的殘留物。這種去除需要在適中的溫度下快速完...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料這次，我們來解說一下這樣的硅片制造工藝和需求高漲的理由。 什么是硅片硅片是半導(dǎo)體的材料基板(基板)。正如其名，是由硅制成的零件，其特征是呈薄圓盤狀。 表面為鏡面加工，徹底排除了微細(xì)的凹凸和微粒。在半導(dǎo)體的初期階段的制造中，半導(dǎo)體制造商使用半導(dǎo)體制造裝置，通過在硅片內(nèi)部形成微細(xì)的電路來制造半導(dǎo)體芯片。 清洗硅片清洗半導(dǎo)體材料硅片的工序。半導(dǎo)體工序中也進(jìn)行清洗是因?yàn)椋词挂稽c(diǎn)點(diǎn)硅片上有污漬，電路也會(huì)產(chǎn)生缺陷。該工序去除以下種類的污漬。·從包裝中取出或從工廠外部空氣附著的粒子·工廠使用的藥液中含有的微量重金屬原子和碳分子等·人的頭屑和污垢中含有的碳、汗中含有的油脂等成膜成膜是制作在硅片上形成電路所需的材料層的工序。電路的原材料是氧化硅和鋁，在硅片上形成作為布線和晶體管等的薄膜層。成膜工序大致有三種方法：·濺射法:將離子碰撞鋁塊，剝離鋁原子，堆積在硅片上形成層·CVD法:在晶片上形成由氣體化學(xué)反應(yīng)生成的分子層·熱氧化:加熱硅片形成氧化硅膜成膜后，通過刷子、純水、納米噴霧等物理清洗除去微細(xì)粒子。 抗蝕劑涂層將光致抗蝕劑(感光劑)涂布在硅片表面的工序。利用使硅片旋轉(zhuǎn)的離心力，形成均勻的抗蝕劑膜。 通過感光材料的涂布，可以對光做出反應(yīng)，烙上電路圖案。其特征還在于，根據(jù)照射...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言生長親水氧化層的硅晶片的預(yù)處理工藝包括使晶片與預(yù)清洗SC-1浴接觸的初始步驟，從而產(chǎn)生高度無顆粒的硅晶片表面。在去離子水沖洗之后，用含水的含有氫氟酸和鹽酸的溶液，用于去除晶片表面的含金屬氧化物。為了生長親水氧化層，使用SC-2浴(含有過氧化氫和稀釋濃度的金屬擦洗HCl)。在硅晶片表面上生成的親水性李思氧化層使用組合的SC-1 HF/HCL SC-2晶片清洗工藝具有不大于1x10 '的金屬濃度。基于SC-2的預(yù)處理晶片清洗工藝這是一種在熱處理之前清洗硅晶片的新的改進(jìn)方法，以便使影響少數(shù)載流子復(fù)合壽命的微粒、有機(jī)物和金屬污染物的存在最小化。鑄錠成晶片，然后研磨、蝕刻和拋光15晶片?；陔娐菲骷圃焐趟璧囊?guī)格，硅晶片也可以經(jīng)受熱處理，例如但不限于氧供體湮滅退火、控制氧沉淀的熱處理、低溫化學(xué)氣相沉積(CVD)氧化、外延沉積和多晶硅沉積。在這種熱處理過程中，硅晶片通常暴露在至少約25℃的溫度下持續(xù)至少約一秒鐘。硅晶體材料，在那里它們可以降解大塊硅少數(shù)載流子復(fù)合壽命。理想情況下，硅晶片在進(jìn)行熱處理時(shí)應(yīng)該是無金屬的。在許多應(yīng)用中，硅35也是優(yōu)選的要進(jìn)行熱處理的晶片由親水氧化硅層鈍化。不幸的是，與生長氧化硅親水表面層的常規(guī)工藝相關(guān)的許多限制使得在小于1×10″結(jié)果，在熱處理之前，硅晶片的表面氧化層通常被剝離。不幸的是，在熱處理之前剝離這種...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料化學(xué)提升光刻(CLL)是一種減法軟光刻技術(shù)，它使用聚二甲基硅氧烷(PDMS)標(biāo)記來繪制功能分子的自組裝單層，應(yīng)用范圍從生物分子圖案到晶體管制造。在此我們表明，CLL可以作為一種更廣泛的技術(shù)，利用由鑄幣金屬(Pt、Pd、Ag、Cu)、過渡金屬和反應(yīng)金屬(Ni、Ti、Al)和半導(dǎo)體(Ge)組成的自組裝化學(xué)。我們展示了高保真模式在精確特征的所有表面調(diào)查。將CLL作為一種技術(shù)，在不同的鑄幣金屬(Pt、Pd、Ag、Cu)、過渡金屬和活性金屬(Ni、Ti、Al)和半導(dǎo)體(Ge)上繪制烷甲基SAMs。使用圖案單層作為分子電阻，演示了通過濕蝕刻圖案轉(zhuǎn)移到下面的金屬基板，在所有的情況下，表明在相應(yīng)的CLL過程中，襯底原子的支撐層（單層）被移除，此外還可以在PDMS印章表面上形成混合金屬單分子層的原子共混物，這些發(fā)現(xiàn)表明，CLL是一種通用的技術(shù)，可用于使用直接的烷硫醇自組裝的多種不同材料表面的經(jīng)濟(jì)和高通量模式化。圖1CLL過程的原理圖如圖1所示，首先研究了除之前研究中使用的Au以外的鑄造金屬(即Pt、Pd、Ag、銅)，自組裝的烷硫酸單層已在其他鑄幣金屬上形成，因此，預(yù)測CLL可以用來描繪這些額外的金屬表面。用CLL形成圖案后，用掃描電子顯微鏡(SEM)對金屬表面的單分子層進(jìn)行成像，特征沒有顯示出模式形成后MUO橫向擴(kuò)散相關(guān)的展寬的證據(jù)，類似于Au上的CLL情況。根據(jù)...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料介紹能源被認(rèn)為是未來五十年人類面臨的頭號問題。據(jù)估計(jì)，太陽能在一小時(shí)內(nèi)顯示出供給的潛力，其能量足以滿足世界一年的能源需求總量。光伏產(chǎn)業(yè)面臨的一個(gè)主要挑戰(zhàn)是以與化石燃料相比具有競爭力的成本產(chǎn)生足夠量的能量。這個(gè)因素取決于對高效光伏設(shè)備和降低制造成本的需求。據(jù)報(bào)道，較高效率的太陽能電池比使用晶體硅材料的市售太陽能電池的效率高出20%以上。這些類型的PV電池之一是交叉背接觸太陽能電池。IBC太陽能電池是在電池背面既有p+觸點(diǎn)又有n+發(fā)射極的電池，這樣可以防止遮光損失。金屬化遵循交叉指型圖案。通過對用于p+接觸的氧化鋁/無定形碳化硅(Al2O3/a-SiCx)、用于n+接觸的磷摻雜碳化硅疊層/氫化無定形碳化硅(SiCX/a-Si:H)和作為背反射器的a-SiCx進(jìn)行表面鈍化來處理UPC的IBC電池。通過激光加工和最終鋁金屬化來完成制造過程，從而形成觸點(diǎn)。這種電池的優(yōu)點(diǎn)是:(a)正面沒有金屬陰影損耗(b)由于指狀物和母線造成的電阻損耗非常低，以及(c)電池更容易互連。引入IBC以將晶體硅太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率提高20%以上。憑借這種高效率，傳統(tǒng)電池6.5平方米的電池板尺寸可以減少到4.8平方米或更小，以滿足家庭平均每年的總能源需求。主要目標(biāo)是開發(fā)便于大規(guī)模生產(chǎn)的程序。IBC太陽能電池允許進(jìn)一步減小電池厚度。晶體硅電池中的光捕獲方案，如抗反射涂層、隨機(jī)紋理等，...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料眾所周知，硅的熱氧化動(dòng)力學(xué)是一個(gè)復(fù)雜的過程，涉及到氧化劑進(jìn)入表面，通過剛剛生長的氧化層運(yùn)輸，最后在大塊硅和SiO之間的界面上發(fā)生反應(yīng)，盡管有許多工作致力于這個(gè)問題，但一些關(guān)鍵的現(xiàn)象還沒有得到很好的解釋，如預(yù)氧化表面處理的影響，這些表面處理的目標(biāo)是清潔硅表面的污染物，去除天然的氧化物層，并通過鈍化過程改變化學(xué)反應(yīng)行為。根據(jù)所使用的清洗步驟順序，特別是最后一步，表面處理不僅強(qiáng)烈影響生長速率，而且強(qiáng)烈影響整體氧化物和Si/Sio2界面的性質(zhì)，通過傅里葉變換紅外光譜(FTIR)對薄氧化物層的結(jié)構(gòu)質(zhì)量進(jìn)行了比較分析，并與不同的清洗程序所產(chǎn)生的影響有關(guān)，這些都是基于標(biāo)準(zhǔn)的RCA方法加上高頻溶液蝕刻法，所得結(jié)果表明，紅外技術(shù)能夠理解所涉及的現(xiàn)象和完成XPS分析。結(jié)合四種清潔處理，CLI(a+b)；CL2(b+a)：CI3(d+e)；CL4(d+e+c)在不同的步驟之間，晶片在4次降雨中用水沖洗,對兩組晶片進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)，在第一組晶片中，在T = 950°C下，在常規(guī)爐中氧化晶片35分鐘(標(biāo)記為F過程)，所有的火焰都被一起氧化了,這是一個(gè)非常重要的特征，在第二個(gè)過程中，晶片在T=1050°C的快速熱氧化(RTO)爐中被氧化，就在氧化之后，兩組的一些晶片在常規(guī)爐中在1000℃退火15分鐘(AF ),或者通過快速熱退火工藝(RTA)在1050℃退火1...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料本文講述的是一種在單個(gè)晶圓清洗工藝中使用新型清洗溶液的方法，該方法涉及在單一晶片模式下使用清洗溶液，并且清洗溶液包括至少包括氫氧化銨（NH-OH）、過氧化氫(HO)、水(HO)和螯合劑，在一個(gè)實(shí)施例中，清潔溶液還包含一種表面活性劑，清洗溶液還包括溶解氣體，含有氫氧化銨、過氧化氫、螯合劑和/或表面活性劑和/或溶解氫的相同清洗溶液也可用于多個(gè)晶片模式，用于某些應(yīng)用。一種包括氧化劑和CO氣體的去離子水沖洗溶液，所有這些元素結(jié)合起來工作，以提高加工效率。硅片的濕式蝕刻和濕式清洗通常是通過將硅片浸入液體中來完成的，這有時(shí)也可以通過將液體噴灑到一批晶片上來實(shí)現(xiàn)，晶片清洗和蝕刻傳統(tǒng)上采用批處理模式進(jìn)行，即同時(shí)處理多個(gè)晶片，一個(gè)典型的清洗順序由HF-SC1-SC2組成。HF（氫氟酸）是一種用于蝕刻薄層氧化物，接下來通常是標(biāo)準(zhǔn)的Clean1(SC1溶液)，它由NHOH、水和水的混合物組成，有時(shí)SC1溶液也被稱為APM溶液，它代表過氧化氫氨混合物，SC1溶液主要用于去除顆粒和殘留的有機(jī)污染。然而，SC1的解決方案卻留下了金屬污染物。最終的溶液是標(biāo)準(zhǔn)的Clean2溶液(SC2)，它是鹽酸，H.O.和水的混合物，有時(shí)SC2溶液也被稱為HPM溶液，它代表鹽酸過氧化氫混合物，SC2溶液主要用于去除金屬污染，在HF、SC1和SC2溶液之間，通常有一個(gè)DI（去離子）水沖洗液，在...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料本文描述了一種新的和簡單的方法，通過監(jiān)測腐蝕過程中薄膜的電阻來研究濕法腐蝕ITO薄膜的動(dòng)力學(xué)，該方法能夠研究0.1至150納米/分鐘之間的蝕刻速率。通常可以區(qū)分三種不同的狀態(tài)：(1)緩慢的初始蝕刻；(2)快速整體蝕刻階段和(3)結(jié)束時(shí)的緩慢蝕刻階段。表明方法特別適合于研究蝕刻過程結(jié)束時(shí)的現(xiàn)象，在這種情況下，孤立的膜塊仍然粘附在襯底上。由于其相當(dāng)高的導(dǎo)電性和光學(xué)透明度，氧化銦錫(ITO)是用于顯示器、觸摸面板、太陽能電池和其他相關(guān)應(yīng)用的最廣泛使用的透明導(dǎo)電氧化物(TCO)之一，ITO薄膜的圖案化通常通過光刻來完成，光刻包括在工業(yè)過程中主要是濕法蝕刻的蝕刻步驟。在ITO的濕法蝕刻研究中，通常沒有明確提到評估蝕刻速率的程序，由于這些研究的焦點(diǎn)是總的蝕刻速率，所以蝕刻速率可能是通過將膜厚度除以總蝕刻時(shí)間來評估的，然而，沒有提到如何確定總蝕刻時(shí)間，評估蝕刻速率的基本假設(shè)是蝕刻速率在蝕刻過程中是恒定的。在蝕刻ITO和其它透明導(dǎo)電材料如SnO2和ZnO的薄膜期間，對蝕刻速率的研究需要監(jiān)測薄膜的厚度或質(zhì)量相關(guān)量，光學(xué)監(jiān)測方法可以是橢偏測量、直接透射和反射測量或通過光柵結(jié)構(gòu)測量透射和反射，因?yàn)閷τ诜浅１〉哪?此外，測量非常薄的ITO膜的厚度是麻煩的，因?yàn)楸砻娲植诓⑶以谝r底表面上形成孤立的ITO殘留物，為了監(jiān)測蝕刻過程中的蝕刻速率，應(yīng)用了電阻相關(guān)的測量技術(shù)，該技術(shù)不...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料本文研究了室溫下鹽酸和王水溶劑對ITO膜腐蝕行為的影響，在王水中比在鹽酸中獲得更高的蝕刻速率，然而，通過XPS分析，發(fā)現(xiàn)在王水蝕刻劑中比在HCl中有更多的表面殘留副產(chǎn)物，在王水和HCl中的表面濃度(氯與銦的比率)分別為7.2和0.38，還觀察到，由于離子化雜質(zhì)散射，表面殘留副產(chǎn)物降低了載流子遷移率，如在蝕刻過程后的ITO圖案中所見，由于快速蝕刻速率，王水發(fā)生了嚴(yán)重的底切，因此，9 M HCl溶液更適合作為ITO/有機(jī)發(fā)光二極管應(yīng)用的蝕刻劑。本研究中采用了ITO鍍膜玻璃，因?yàn)樗谋与娮璧?，在可見光區(qū)的透明度高(90%)，在蝕刻過程開始之前，樣品 依次用丙酮、甲醇、去離子水清洗，用N2氣體干燥，用不同濃度和溫度的鹽酸(HCl)和水溶液(硝酸與鹽酸的體積比為1:3)進(jìn)行蝕刻實(shí)驗(yàn)，將ITO玻璃垂直浸入蝕刻溶液中，在蝕刻過程中不攪拌，在ITO蝕刻過程之后，進(jìn)行各種表征。用能量色散譜(EDS)、霍爾測量和掃描電鏡(SEM)分別測量了腐蝕前后ITO膜的表面余氯、載流子濃度、遷移率和表面形貌，此外，通過單色 X射線源進(jìn)行X射線光電子能譜(XPS)測量，在這項(xiàng)工作中報(bào)道的所有結(jié)合能(BE)都是參考285.3 eV處碳C 1s峰的結(jié)合能。此外，用橢偏儀監(jiān)測腐蝕前后ITO膜的厚度。在本研究中，使用HCl和王水作為蝕刻溶液，蝕刻反應(yīng)是 In2O3 + 2HC1 → 2...
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